ตัวเก็บประจุ ชนิดเซรามิค ( Ceramic Capacitor ) คาปาซิเตอร์ เซรามิค

ตัวเก็บประจุ  ชนิดเซรามิค   ຕົວເກັບປະຈຸ


ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิคเป็นตัวเก็บประจุมีค่าความจุคงที่และไม่มีขั้ว   ใช้เซรามิคทำหน้าที่เป็นฉนวนไดอิเล็กตริกข้างใน    อาจมีเซรามิค 2 ชั้นหรือมากกว่าที่เรียกว่า Multilayer
ตัวเก็บประจุแบบเซรามิคมีทั้งสีฟ้า และสีน้ำตาลที่ตัว C จะระบุค่าความจุและพิกัดแรงดัน


รูปแสดงตัวอย่างการใช้งานตัวเก็บประจุชนิดเซรามิค
ลักษณะตัวเก็บประจุส่วนใหญ่จะแบนและกลมภาษาอังกฤษเรียกว่า   disc ceramic capacitor
มีทั้งสีน้ำตาลและสีฟ้า


ตัวเก็บประจุ   ชนิดต่างๆ
ตัวเก็บประจุ   คาปาซิเตอร์ชนิดต่างๆ


ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิค  Ceramic Capacitor








รุปแสดงตัวอย่างการใช้งานตัวเก็บประจุชนิดเซรามิคในวงจร


แผง วงจร  PCB



คุณสมบัติของเซรามิคเป็นตัวกำหนดคุณสมบัติทางไฟฟ้าและประเภทการใช้งาน
การใช้งานตัวเก็บประจุแบบเซรามิคแบ่งเป็น 2 ระดับหรือคลาส

1)  ตัวเก็บประจุเซรามิค Class 1   มีคุณสมบัติเสถียรสูง การสูญเสียน้อย  ใช้สำหรับวงจรรีโซแนนซ์  มีสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเกือบเป็นเชิงเส้น ค่าความจุแทบจะไม่เปลี่ยนตามแรงดัน  คุณสมบัตินี้เหมาะกับวงจรฟิลเตอร์ที่เน้นค่า Q สูง (high Q filters)  เช่น   วงจรออสซิลเลเตอร์  วงจรรีโซแนนซ์     คำศัทพ์ที่ใช้บอกสเปคหรือคุณสมบัติของ Class 1   ใน Datasheet ใช้คำว่า  NP0/CG/C0G    

2)  ตัวเก็บประจุเซรามิค Class 2  เน้นคุณสมบัติมีค่าความจุต่อพื้นที่สูง  มีความเสถียรและความถูกต้องน้อยกว่าแบบแรก ( Class 1)   ใช้สำหรับวงจรบัพเฟอร์  วงจรบายพาส วงจรคัปปลิ้ง   มีการเปลี่ยนแปลงค่าความจุทีไม่เป็นเชิงเส้นตลอดช่วงอุณหภูมิ    แรงดันยังทำให้ค่าความจุเปลี่ยนค่าด้วย   ตามมาตรฐาน EIA RS-198 ตัวเก็บประจุเซรามิค Class 2  จะแบ่งย่อยได้อีกโดยใช้รหัสตามตาราง บอกช่วงอุณหภูมิใช้งานต่ำสุด-สูงสุด และ % การเปลี่ยนแปลงค่าความจุตลอดช่วงอุณภูมิ
ตัวเก็บประจุเซรามิค Class 2 จะใช้คำว่า  X8R   X7R   X6R  X5R  X7S  Z5U  Y5V 


 ตัวเก็บประจุเซรามิค Class 2   สเปค X8R คือสเปคดีที่สุดสำหรับ Class2
 เรียงลำดับลงไปถึงดีน้อยที่สุดคือ  Y5V ซึ่งมีค่าความคลาดเคลื่อนสูงและตัวเก็บประจุเปลี่ยนค่าตาม
  อุณหภูมิ

 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิคที่นิยมใช้งานมากในงานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จะเป็น ตัวเก็บประจุเซรามิคแบบหลายชั้น (  multilayer ceramic capacitors (MLCCs) ) เป็นเทคนิคที่ทำให้ตัวเก็บประจุมีค่าความจุมากขึ้นแต่ใช้พื้นที่น้อย   นอกจากนี้ตัวเก็บประจุชนิดนี้ยังใช้ในวงจรกำจัดสัญญาณรบกวน (RFI/EMI suppression)    วงจรกรองความถี่สูงลงกราวน์